SI4904DY的供应信息|PDF资料|求购SI4904DY上51电子网

SI4904DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2390pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4904DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2390pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4904DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2390pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4904DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2390pF @ 20V; 功率_最大：3.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4904DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2390pF @ 20V; 功率_最大：3.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4904DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2390pF @ 20V; 功率_最大：3.25W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

RNCF1206BTE499K
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 499K OHM 1/8W 0.1% 1206
RNCP1206FTD8K06
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 8.06K OHM 1/2W 1% 1206 SMD
SI4904DY-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
RNF12FTD3M92
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 3.92M OHM 1/2W 1% AXIAL
SDF DF216S
热熔断路器，断路器 (TCO) Cantherm 轴向 THERMAL FUSE 216C 10A AXIAL
ROV14-301K
TVS - 变阻器，MOV TE Connectivity 圆盘 14mm VARISTOR 300V 14MM RADIAL
RNF14BTD25K5
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 25.5K OHM 1/4W .1% AXIAL
SCEP134H-6R0
固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 6.00UH 9.60A 100KHZ
RNCF1206BTE4K37
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 4.37K OHM 1/8W 0.1% 1206
RNF12FTD3R30
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/2W 3.3 OHM 1% AXL
SDF DF228S
热熔断路器，断路器 (TCO) Cantherm 轴向 THERMAL CUTOUT 228C 10A AXIAL
ROV14-361K-2
TVS - 变阻器，MOV TE Connectivity 圆盘 14mm VARISTOR 360V 14MM RADIAL T/R
RNF14BTD2K49
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 2.49K OHM 1/4W .1% AXIAL
SCEP134S-4R8
固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 4.80UH 9.30A 100KHZ
RNCF1206BTE5K11
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 5.11K OHM 1/8W 0.1% 1206

SI4904DY 全国供应商、价格、PDF资料