SI4890BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1535pF @ 15V
- 功率_最大:5.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4890BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1535pF @ 15V
- 功率_最大:5.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4890BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1535pF @ 15V
- 功率_最大:5.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4890BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1535pF @ 15V
- 功率_最大:5.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4890DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):800mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4890DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):800mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 时钟/计时 - 专用 Micrel Inc 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC CLK SYNTHESIZER LN 16-TSSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power 10-SIP MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 逻辑 - 专用逻辑 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-TFSOP(0.173",4.40mm 宽) IC DDR REGISTER 48-TVSOP
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-243AA SENSOR UNIPOLAR HALL-EFFECT
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS BIDIR 400W 26V 5% SMA
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Richtek USA Inc 16-WFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM 16WQFN
- FET - 单 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 MOSFET P-CH 12V 870MA SC89
- 时钟/计时 - 专用 Micrel Inc 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC CLK SYNTHESIZER LN 20-TSSOP
- 保险丝 Cooper Bussmann 径向,盒式 FUSE SLOW 250VAC 500MA RADIAL
- 逻辑 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 48-TFSOP(0.240",6.10mm 宽) IC REG DRIVER 14BIT SSTL 48TSSOP
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Richtek USA Inc 12-WFQFN 裸露焊盘 IC REG CTRLR BUCK PWM 12WQFN
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS BIDIR 400W 26V 5% SMA
- FET - 单 Vishay Siliconix SC-75A MOSFET N-CH 20V 606MA SC75-3
- 时钟/计时 - 专用 Micrel Inc 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC CLK SYNTHESIZER FIBRE 8-TSSOP