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SI4888DY 全国供应商、价格、PDF资料

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SI4888DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4888DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4888DY供应商

SI4888DY 深圳市金鑫弈科技有限公司 755-83349415/
SI4888DY-T1-E3 深圳市科恒伟业电子有限公司 0755-82569753
SI4888DY-T1-E3 深圳市高胜电子经营部 755-83258123
SI4888DY-T1-E3 深圳市银芯龙科技有限公司 13510131896
SI4888DY-T1-E3 SI4888 北京显周科技有限公司 13910052844（微
SI4888DY-T1-GE3 北京显周科技有限公司 13910052844（微
SI4888DY-T1-E3 深圳市百域芯科技有限公司 075582788161
SI4888DY-T1-E3 深圳市西昂特科技有限公司 0755-82524647
SI4888DY-T1-E3 深圳市向鸿伟业电子有限公司 0755-82561519
SI4888DY-T1-GE3 深圳市向鸿伟业电子有限公司 0755-82561519
SI4888DY-TI 深圳市华斯顿电子科技有限公司 0755-83777708
SI4888DY-T1-E3 深圳市华斯顿科技有限公司 0755-83777607
SI4888DY-T1-E3 深圳市芯福林电子科技有限公司 0755-82574045
SI4888DY 深圳市创芯联盈电子有限公司 0755-88291559
SI4888DY-T1-E3 深圳恒际天威科技有限公司 755-23914055
SI4888DY-E3 深圳市欧立现代科技有限公司 0755-23999932

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