SI4850EY-T1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4850EY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4850EY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4850EY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4850EY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4850EY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC AMP CMOS INPUT SOT-23-5
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control 3-SMD,鸥翼型 SENSOR MINI LINEAR HALL-EFFECT
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Richtek USA Inc 20-WFQFN 裸露焊盘 IC CTRLR BUCK PWM VM 20WQFN
- 逻辑 - 专用逻辑 NXP Semiconductors 48-TFSOP(0.240",6.10mm 宽) IC REG DRIVER 14BIT 48TSSOP
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can CAP ALUM 4.7UF 25V 20% RADIAL
- TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AC,SMA DIODE TVS 24V 400W BI 5% SMD
- FET - 阵列 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 逻辑 - 专用逻辑 NXP Semiconductors 56-VFQFN 裸露焊盘 IC REG BUFFER 26BIT 56HVQFN
- PMIC - 稳压器 - 线性 + 切换式 Richtek USA Inc 16-WFQFN 裸露焊盘 IC REG DL BCK/LINEAR SYNC 16WQFN
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS BIDIRECT 400W 24V 5% SMA
- 保险丝 Cooper Bussmann 径向,盒式 FUSE 1.6A 250VAC RADIAL SLOW
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC OP AMP RRO 3.5MHZ LN SC70-5