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SI4838BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 12V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：34A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫欧 @ 15A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5760pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4838BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 12V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：34A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫欧 @ 15A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5760pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4838BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 12V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：34A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫欧 @ 15A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5760pF @ 6V; 功率_最大：5.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4838DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 25A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4838DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 25A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4838DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 25A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

VI-B2Z-MY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 20W
VJ1210A180KBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 18PF 100V 10% NP0 1210
VJ1206A220JXRAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 22PF 1.5KV 5% NP0 1206
VI-B6X-CW
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W
VI-B7K-MW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W
VI-B32-MV-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 150W
VI-B30-CV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 150W
VJ1206A220KBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 22PF 1.5KV 10% NP0 1206
VJ1210A180KBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 18PF 630V 10% NP0 1210
VI-B7K-MW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W
VI-B6X-CW-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W
VJ1210A181JBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 180PF 100V 5% NP0 1210
VJ1206A220KXGAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 22PF 1KV 10% NP0 1206
VI-B32-MV-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 150W
VI-B30-CV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 150W

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