SI4835-B30-GU详细规格
- 类别:RF 接收器
- 描述:IC RCVR AM/FM/SW RADIO 24SSOP
- 系列:-
- 制造商:Silicon Laboratories Inc
- 频率:504kHz ~ 1.75MHz,5.6MHz ~ 22MHz,64MHz ~ 109MHz
- 灵敏度:-
- 数据传输率_最大:-
- 调制或协议:AM,FM,SW
- 应用:通用
- 电流_接收:21.5mA
- 数据接口:PCB,表面贴装
- 存储容量:-
- 天线连接器:PCB,表面贴装
- 特点:-
- 电源电压:2 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C
- 封装/外壳:24-SSOP(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:24-SSOP
- 包装:托盘
SI4835BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4835BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4835BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4835DDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1960pF @ 15V
- 功率_最大:5.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4835DDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1960pF @ 15V
- 功率_最大:5.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 330PF 100V 5% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 150PF 500V 5% RADIAL
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 113 OHM 1/10W .5% SMD 0603
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 27PF 150V 5% 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 1000PF 150V 5% 1111
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON GREEN 50/PK
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 150PF 500V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 11.5 OHM 1/10W .5% SMD 0603
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 2PF 150V 0605
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 2X3" RED ON WHITE 50/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 1500PF 150V 10% 1111
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.1UF 100V 20% RADIAL