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SI4833ADY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：72 毫欧 @ 3.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 15V; 功率_最大：2.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4833ADY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：72 毫欧 @ 3.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 15V; 功率_最大：2.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4833ADY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：72 毫欧 @ 3.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 15V; 功率_最大：2.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

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SI4833ADY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
SR151A821JARTR1
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SSQ-126-03-G-S-RA
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 26POS R/A SGL AU
SR151A8R2DAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 8.2PF 100V RADIAL
SHR-12V-S-B
矩形 - 外壳 JST Sales America Inc 6-SMD，无引线（DFN，LCC） CONN HOUSING SH 12POS 1MM WHITE
SMA5J6.0CAHE3/61
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 500W 6.0V 5% SMA
SRCN2A21-10P
连接器，互连器件 JAE Electronics 48-TQFP CONN RCPT BOX MNT 10POS W/PINS
SSQ-127-02-S-D
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 54POS DUAL GOLD
RX-H501TD-2110(LF)(SN)
矩形- 接头，公引脚 JST Sales America Inc 径向，圆盘 CONN HEADER VERT 50POS RX