SI4830ADY-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料

SI4830ADY-T1-E3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC N

包装：剪切带 (CT)

SI4830ADY-T1-E3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC N

包装：带卷 (TR)

SI4830ADY-T1-E3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC N

包装：Digi-Reel®