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SI4830-A20-GU详细规格: 类别：RF 接收器; 描述：IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM; 系列：-; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 频率：520kHz ~ 1.71MHz，64MHz ~ 108MHz; 灵敏度：-; 数据传输率_最大：-; 调制或协议：AM，FM; 应用：通用; 电流_接收：-; 数据接口：PCB，表面贴装; 存储容量：-; 天线连接器：PCB，表面贴装; 特点：-; 电源电压：2 V ~ 3.6 V; 工作温度：-; 封装/外壳：24-SSOP（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：24-SSOP; 包装：托盘

SI4830ADY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4830ADY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4830ADY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4830ADY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 7.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4830CDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：950pF @ 15V; 功率_最大：2.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

RNCF1206BTC6K81
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 6.81K OHM 1/8W 0.1% 1206
SDAXB-024G-000000
固态硬盘驱动器 SanDisk SSD 2.5" UATA 24GB
SI4829DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SCE048SD3QP1B
蜂鸣器 Mallory Sonalert Products Inc BUZZ VDC 2.9KHZ CHIRP
RNF12FTD237R
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 237 OHM 1/2W 1% AXIAL
ROV10-751K
TVS - 变阻器，MOV TE Connectivity 圆盘 10mm VARISTOR 750VDC 10MM 10% LEADED
RNF14BTC3K48
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 3.48K OHM 1/4W .1% AXIAL
RNCP1206FTD180R
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 180 OHM 1/2W 1% 1206 SMD
RNCF1206BTC7K32
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 7.32K OHM 1/8W 0.1% 1206
SCE048XA2DP2B
蜂鸣器 Mallory Sonalert Products Inc BUZZ VAC/DC 2KHZ FAST DBL PULSE
RNF12FTD24R9
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 24.9 OHM 1/2W 1% AXIAL
ROV10-781K-S
TVS - 变阻器，MOV TE Connectivity 圆盘 10mm VARISTOR 780V 10MM STRAIGHT LEAD
RNF14BTC3K57
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 3.57K OHM 1/4W .1% AXIAL
RNCP1206FTD221R
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 221 OHM 1/2W 1% 1206 SMD
RNCF1206BTE10K5
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 10.5K OHM 1/8W 0.1% 1206

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