SI4825DDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2550pF @ 15V
- 功率_最大:5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4825DDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2550pF @ 15V
- 功率_最大:5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4825DDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:86nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2550pF @ 15V
- 功率_最大:5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4825DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 11.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4825DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 11.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4825DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 11.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.22UF 500V 20% RADIAL
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 24-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC RCVR AM/FM MECH DGTL 24-SSOP
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 100PF 500V 10% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 24PF 150V 1% 0605
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON RED 500/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 200PF 300V 5% 1111
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 100V 20% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.22UF 500V 20% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 200PF 300V 5% 1111
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 24PF 150V 1% 0605
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON RED 500/PK
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 107 OHM 1/10W .5% SMD 0603
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 16V PPAK 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.22UF 400V 20% RADIAL