SI4804BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 5.7A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4804BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 5.7A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4804BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 5.7A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4804BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4804CDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:865pF @ 15V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4804CDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:865pF @ 15V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 160PF 300V 5% 1111
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 560PF 100V 20% RADIAL
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 75.0 OHM 1/16W .5% SMD 0402
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1UF 50V 20% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 1.9PF 150V 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 180PF 300V 5% 1111
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON GREEN 50/PK
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.15UF 50V 20% RADIAL
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YELLOW 50/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 1.9PF 150V 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 180PF 300V 5% 1111