SI4684DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.4 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2080pF @ 15V
- 功率_最大:4.45W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4684DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.4 毫欧 @ 16A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2080pF @ 15V
- 功率_最大:4.45W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 6.8PF 100V RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 953K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 配件 Olimex LTD PASSIVE ELECTRODE FOR SHIELD
- 线路滤波器 TDK-Lambda Americas Inc - EMI FILTER 500VAC 60A SCREW TERM
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 226 OHM 1/16W .5% SMD 0402
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH D-S 80V 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 82PF 100V 2% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 100PF 150V 5% 0605
- 配件 Olimex LTD PASSIVE ELECTRODE FOR SHIELD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 82PF 100V 5% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 100PF 150V 5% 0605
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 40V 15A PPAK 8SOIC
- 通孔电阻器 Vishay Sfernice TO-220-2 RES 1.0K OHM 20W 5% TO-220
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 237 OHM 1/16W .5% SMD 0402