SI4630DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:161nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6670pF @ 15V
- 功率_最大:7.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4630DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:161nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6670pF @ 15V
- 功率_最大:7.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4630DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:161nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6670pF @ 15V
- 功率_最大:7.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4630DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:161nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6670pF @ 15V
- 功率_最大:7.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4630DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:161nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6670pF @ 15V
- 功率_最大:7.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4630DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:161nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6670pF @ 15V
- 功率_最大:7.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- RF 放大器 Microchip Technology 12-UFQFN 裸露焊盘 IC RF PWR AMP 802.11A/N 12UQFN
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 78.7 OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX G/G
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
- 接口 - 电信 Silicon Laboratories Inc 38-VFQFN 裸露焊盘 IC SLIC PROG 1-CH 38QFN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 WW
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AC,SMA TVS 400W 150V UNIDIRECT SMA
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 7.15K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
- 接口 - 电信 Silicon Laboratories Inc 64-TQFP IC SLIC PROG DUAL-CH 64TQFP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 WW
- TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AC,SMA DIODE TVS 150V 400W BI 5% SMD
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC