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SI4569DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，6.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4569DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，6.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4569DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A，6.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4569DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.6A，7.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V; 功率_最大：3.1W，3.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4563DY-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
RNCP0603FTD39K2
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 39.2K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
MDM96511-710
D-Sub ITT Cannon MDM-9S BS STR PCB A101
SD7030-7R3-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 7.3UH SMD
RNF18FTD249K
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/8W 249K OHM 1% AXIAL
SI4113-BT
时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 Silicon Laboratories Inc 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
SI7212DN-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SCE016LD3DL1B
蜂鸣器 Mallory Sonalert Products Inc 矩形接线盒 BUZZ VDC 2.9KHZ 10S DELAY ON
RNCP0603FTD3K92
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 3.92K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
RNF18FTD24R3
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 24.3 OHM 1% AXIAL
SD7030-7R3-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 7.3UH SMD
SI7212DN-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SI4113-EVB
过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc BOARD EVALUATION FOR SI4113
MDM96514-568
D-Sub ITT Cannon MDM-21P BS STR PCB A101
RNCP0603FTD499R
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 499 OHM 1% 0603 SMD

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