SI4567DY的供应信息|PDF资料|求购SI4567DY上51电子网

SI4567DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.1A，3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：355pF @ 20V; 功率_最大：1.85W，1.95W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4567DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.1A，3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：355pF @ 20V; 功率_最大：1.85W，1.95W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4567DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.1A，3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：355pF @ 20V; 功率_最大：1.85W，1.95W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4567DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A，4.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 4.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：355pF @ 20V; 功率_最大：2.75W，2.95W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

RT1206DRE076K98L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 6.98K OHM 1/4W .5% SMD 1206
RYM22DTAN-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156 SLD
SST1.5S-M
扎带 Panduit Corp 2-SMD，方形端块 *STA-STRAP* TIE
SI3220PPT0-EVB
评估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 64-TQFP BOARD EVAL W/SI3200 INTERFACE
SI7601DN-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
RYM22DTBN-S664
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156
SMAJ150A-13-F
TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 150V SMA
SI6913DQ-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP
RT1206DRE0778K7L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 78.7K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI32260-C-GM
接口 - 电信 Silicon Laboratories Inc IC PROSLIC FXS WIDEB -110V 60QFN
SI7611DN-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
RYM22DTMN-S664
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156
SMAJ150A-13-F
TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 150V SMA
SI6913DQ-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP
SST11CP15-QUBE
RF 放大器 Microchip Technology 12-UFQFN 裸露焊盘 IC RF PWR AMP 802.11A/N 12UQFN

SI4567DY 全国供应商、价格、PDF资料