SI4559ADY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A,3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 4.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4559ADY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A,3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 4.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4559ADY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A,3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 4.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4559ADY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A,3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 4.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4559ADY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A,3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 4.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4559ADY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A,3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 4.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- FFC,FPC(扁平软线)- 连接器 - 面板安装 FCI 模块 SFV20R-2STE1-FFC/FPC CONN
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 4-SOJ,5.08mm 间距 OSCILLATOR CMOS PROG 5V ST SMD
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 29POS WALL MT PINS
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 6 POS BOX MNT W/PINS
- 钽 Kemet 2312(6032 公制) CAP TANT 100UF 10V 10% 2312
- 网络、阵列 TT Electronics/BI 20-SSOP(0.154",3.90mm 宽) RES ARRAY 10K OHM 19 RES 20SSOP
- FFC,FPC(扁平软线)- 连接器 - 面板安装 FCI 模块 CONN FPC/FFC 20POS .5MM R/A SMD
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 4-SOJ,5.08mm 间距 OSCILLATOR TTL PROG 5V ST SMD
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 6 POS BOX MNT W/PINS
- 网络、阵列 TT Electronics/BI 20-SSOP(0.154",3.90mm 宽) RES ARRAY 1.5K OHM 19 RES 20SSOP
- 钽 Kemet 2312(6032 公制) CAP TANT 100UF 6.3V 20% 2312
- FFC,FPC(扁平软线)- 连接器 - 面板安装 FCI 模块 CONN FPC/FFC 21POS .5MM R/A SMD
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 4-SOJ,5.08mm 间距 OSCILLATOR CMOS PROG 3.3V OE SMD
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 29POS WALL MNT W/SCKT