SI4505DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A,3.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 7.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4505DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A,3.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 7.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 14.7K OHM 1/4W 1% AXIAL
- DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模块 CONV DC/DC 10W 9-18VIN 15VOUT
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
- PMIC - 热交换 Micrel Inc 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CTRLR HOT-SWAP 1CH NEG 14SOIC
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC CMOS PROG 1.8V OE SMD
- LED - 分立式 Rohm Semiconductor 径向 LED 3.1MM 468NM BLUE TRANSPARENT
- 铁氧体磁珠和芯片 Bourns Inc. 0603(1608 公制) BEAD FERRITE 1500 OHM 50MA 1608
- 配件 Silicon Laboratories Inc 24-SIP 模块(23 引线) DAUGHTER CARD PROSLIC PS
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 158K OHM 1/4W 1% AXIAL
- PMIC - 热交换 Micrel Inc 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CTRLR HOT-SWAP 1CH NEG 14SOIC
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC CMOS PROG 3.3V ST SMD
- LED - 分立式 Rohm Semiconductor 径向 LED 3.1MM 610NM ORN DIFFUSED
- 铁氧体磁珠和芯片 Bourns Inc. 0603(1608 公制) BEAD FERRITE 40 OHM 300MA 1608
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 64-VFQFN 裸露焊盘 MCU 32BIT 256KB 64QFN
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 178K OHM 1/4W 1% AXIAL