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SI4464-B1B-FM详细规格: 类别：RF 收发器; 描述：TXRX ISM EZ RADIO PRO 20QFN; 系列：EZRadioPRO®; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 频率：119MHz ~ 960MHz; 数据传输率_最大：1Mbps; 调制或协议：FSK，GFSK，MSK，ASK，OOK; 应用：住宅/楼宇自动化，工业控制; 功率_输出：20dBm; 灵敏度：-124dBm; 电源电压：1.8 V ~ 3.6 V; 电流_接收：13.6mA; 电流_传输：85mA; 数据接口：PCB，表面贴装; 存储容量：-; 天线连接器：PCB，表面贴装; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：*; 包装：*

SI4464-B1X-FM详细规格: 类别：RF 收发器; 描述：TRANSCEIVER RF EZRADIO PRO 20QFN; 系列：EZRadioPRO®; 制造商：Silicon Laboratories Inc; 频率：119MHz ~ 960MHz; 数据传输率_最大：1Mbps; 调制或协议：FSK，GFSK，MSK，ASK，OOK; 应用：住宅/楼宇自动化，工业控制; 功率_输出：20dBm; 灵敏度：-124dBm; 电源电压：1.8 V ~ 3.6 V; 电流_接收：13.6mA; 电流_传输：85mA; 数据接口：PCB，表面贴装; 存储容量：-; 天线连接器：PCB，表面贴装; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：20-VFQFN 裸露焊盘; 包装：管件

SI4464DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4464DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4464DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4464DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

T95S684M035LSAL
钽 Vishay Sprague 1507（3718 公制） CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507
SI4462DY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
TLC2264AIDRG4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 730KHZ 14SOIC
TA35-EKDTF050C0
断路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 5A ROTARY 240VAC
STP3N150
FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220
STEVAL-TDR014V1
RF 评估和开发套件，板 STMicroelectronics RF EVAL FOR PD55008-E
SI4463BDY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
TLV2450IDBVR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-6 IC OPAMP GP R-R 220KHZ SOT23-6
TA35-EKDTF120C0
断路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 12A ROTARY 240VAC
STEVAL-TDR016V1
RF 评估和开发套件，板 STMicroelectronics RF EVAL FOR PD55015E
STP4CMPQTR
PMIC - LED 驱动器 STMicroelectronics 20-UFQFN IC LED DVR CHARGE PUMP 20QFN
T95S684M035LSSL
钽 Vishay Sprague 1507（3718 公制） CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507
SI4465ADY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 8V 13.7A 8SOIC
TLV2450IDBVT
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-6 IC OPAMP GP R-R 220KHZ SOT23-6
TA-36.000MDE-T
振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC MEMS 36.000 MHZ 1.8V SMD

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