SI4453DY-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI4453DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH D-S 12V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 14A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 600µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:165nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4453DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH D-S 12V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.5 毫欧 @ 14A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 600µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:165nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - QC 端子 CAP FILM 80UF 370VAC QC TERM
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH D-S 12V 8-SOIC
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS BOX MNT W/PINS
- IGBT - 单路 Infineon Technologies TO-220-3 IGBT NPT 1200V 30A 198W TO220-3
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 53POS WALL MNT W/SCKT
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 1.5 OHM 10W 5% WIREWOUND
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 100UF 16V 10% 2917
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - QC 端子 CAP FILM 50UF 440VAC QC TERM
- IGBT - 单路 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-220
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 53POS WALL MNT W/SCKT
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 220 OHM 10W 5% WIREWOUND
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 100UF 20V 20% 2917
- 热缩管 3M 6-PLCC HEATSHRINK SFTW203 1/16" BLK
- IGBT - 单路 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IGBT W/DIODE 600V TO-220
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 22 POS BOX MNT W/SCKT