SI4446DY-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 5.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V
- 功率_最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：Digi-Reel®
SI4446DY-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 5.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V
- 功率_最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：带卷 (TR)
SI4446DY-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 5.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V
- 功率_最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：剪切带 (CT)
SI4446DY-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 5.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V
- 功率_最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：带卷 (TR)
SI4446DY-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 5.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V
- 功率_最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：剪切带 (CT)
SI4446DY-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 5.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 20V
- 功率_最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：Digi-Reel®
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 24-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC RX AM/FM/WB RADIO 24SSOP
- LED- 高亮度电源模块 Luminus Devices Inc 40-DIP（0.600"，15.24mm） BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- FET - 单 Rohm Semiconductor SC-96 MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 82K OHM 4 RES 1206
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB TRANSIL 600W 39V BIDIR SMB
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 20-UFQFN 裸露焊盘 IC RX AM/FM/WB RDS/RBDS 20UQFN
- 单二极管/整流器 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 DIODE 200V 4A DPAK
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB TRANSIL 600W 39V BIDIR SMB
- RF 评估和开发套件，板 Silicon Laboratories Inc 24-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） BOARD EVAL SI4737 VERSION C
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 82K OHM 4 RES 1206
- 单二极管/整流器 Fairchild Semiconductor TO-251-2，IPak DIODE ULTRA FAST 6A 600V I-PAK
- LED- 高亮度电源模块 Luminus Devices Inc 40-DIP（0.600"，15.24mm） BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
075582796732 
19520735817/1 
0755-23902104 
13691818754 
13910052844（微 
0755-82574045 
171-4729-9698 
0755-83209630 
0755-83015506 
0755-83777708 
0755-83223003 
15112667855 
0755-89697985 
17302677633 
0755-82732291 
