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SI4434DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4434DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4434DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4434DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4434DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4434DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4401BDY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
RTD-2415/P
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 24VIN +/-15VOUT
SI4434DY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
RT0805CRD0722R6L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 22.6 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI7190DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC
RT0402CRE0743K2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 43.2KOHM 1/16W .25% SMD 0402
SH470M160ST
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can CAP ALUM 47UF 160V 20% RADIAL
SI4401DDY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
SR151A270JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 27PF 100V 5% RADIAL
RT0805CRD07232RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 232 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SH50C-2.0-150
固定式 AlfaMag Electronics, LLC 径向 INDUCTOR 150UH 2.0A 50KHZ CLP
RT0402CRE0744R2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 44.2 OHM 1/16W .25% SMD 0402
SI7192DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC
SI4403BDY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC
SR151A270KAT
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 27PF 100V 10% RADIAL

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