SI4430BDY-T1的供应信息|PDF资料|求购SI4430BDY-T1上51电子网

SI4430BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4430BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4430BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4430BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4430BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4430BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SG-9001CA D15P 66.6667MC
振荡器 EPSON 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 66.6667MHZ -1.5%DWN-SPRD SMD
SI4425BDY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
VI-B6J-MU-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 200W
VI-2WF-CV-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 150W
VIPER17HN
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 STMicroelectronics 8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引线 IC OFFLINE CONV PWM OVP OCP 8DIP
VJ0805Y104KXXAT
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 0.1UF 25V 10% X7R 0805
VJ1210Y272JBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 2700PF 630V 5% X7R 1210
VJ1206Y333MXPAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 0.033UF 250V X7R 1206
SG901-1028
RF 收发器 Sagrad Inc 模块 MODULE WIFI RADIO 802.11B/G
VIPER20A-22-E
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 STMicroelectronics Pentawatt-5 HV（弯曲和错列引线） IC SWIT SMPS CM OTP PENTAWATT5
VI-2WF-CV-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 150W
VJ0805Y104MXAAT
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 0.1UF 50V 20% X7R 0805
SG923-0003
RF 评估和开发套件，板 Sagrad Inc 模块 KIT SOFTWARE INTEGRATN SPI/SDIO
VJ1206Y391KBEAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 390PF 500V 10% X7R 1206
SI4431BDY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

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