SI4425BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 11.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4425BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 11.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4425BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 11.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4425BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 11.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCT SHIELDED 1.1UH 3.25A SMD
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 5.62K OHM 1% AXIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 30"
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 634 OHM 1/8W 0.5% 1206
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP
- 接口 - UART(通用异步接收器/发送器) NXP Semiconductors 28-DIP(0.600",15.24mm) IC DUART 28-DIP
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/8W 73.2 OHM 1% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 6.49K OHM 1/8W 0.5% 1206
- D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 30"
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N-CH 100V 6-TSOP
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/8W 100K OHM 1% AXIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC