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SI4413ADY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 13A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4413ADY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 13A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4413ADY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 13A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4413ADY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 13A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4413CDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：-; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4413CDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：-; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id时的Vgs333th444（最大）：-; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：-; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

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陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 0.022UF 500V X7R 1210
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陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 820PF 50V 10% NP0 0805
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陶瓷 Vishay BC Components 1206（3216 公制） CAP CER 3300PF 50V 10% X7R 1206
VI-B6J-IX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W
VIO50-12P1
IGBT IXYS ECO-PAC2 MOD IGBT DIODE SGL 1200V ECOPAC2
VJ0805Y103KXAAC
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 50V 10% X7R 0805
VJ1210Y223KXEAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 0.022UF 500V X7R 1210
VJ1206Y332KXEAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 3300PF 500V 10% X7R 1206

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