SI4406DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4406DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:13A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 46.4KOHM 1/16W .25% SMD 0402
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 16A PPAK 8SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 27PF 100V 10% RADIAL
- DIP C&K Components SC-75,SOT-416 SWITCH ROTARY SP-2POS SMT
- 固定式 AlfaMag Electronics, LLC 径向 INDUCTOR 680UH 0.85A 50KHZ FLT
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 26.1K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 16A PPAK 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 270PF 100V 5% RADIAL
- DIP C&K Components SC-75,SOT-416 SWITCH ROTARY ESD EXT SHAFT REV
- 固定式 AlfaMag Electronics, LLC 非标准 INDUCTOR 220UH 1.4A 50KHZ SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 28.7 OHM 1/8W .25% SMD 0805
- FET - 单 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL N-CH 30V 1212-8