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SI4386DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4386DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4386DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4386DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4386DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4386DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SR215A150KARTR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 15PF 50V 10% RADIAL
SI4565ADY-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI4378DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
RT17040
配件 TE Connectivity 9-LBGA MARKING TAG FOR RT78
SST49LF016C-33-4C-WHE-T
存储器 Microchip Technology 32-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽） IC FLASH SER LPC 16MBIT 32TSOP
MNR14E0APJ202
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 2K OHM 4 RES 1206
SM6T15AY
TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB TRANSIL 600W 15V UNIDIR SMB
RTY060HVEAX
成角度，线性位置测量 Honeywell Sensing and Control SC-70，SOT-323 SENSOR HALL EFFECT ROTARY
SI-46014-F
模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX Y/G
RT17040
配件 TE Connectivity 9-LBGA MARKING TAG FOR RT78
SST49LF080A-33-4C-WHE
存储器 Microchip Technology 32-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽） IC FLASH SER LPC 8MBIT 32TSOP
SM6T15AY
TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB TRANSIL 600W 15V UNIDIR SMB
RTY090HVNAX
成角度，线性位置测量 Honeywell Sensing and Control SC-70，SOT-323 SENSOR HALL EFFECT ROTARY
SR215A151JAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 150PF 50V 5% RADIAL
SI4628DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH SCHOTTKY 30V 8SOIC

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