SI4340CDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 20V 14-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.1A,20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.4 毫欧 @ 11.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 10V
- 功率_最大:3W,5.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:14-SOICN
- 包装:带卷 (TR)
SI4340CDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 20V 14-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.1A,20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.4 毫欧 @ 11.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 10V
- 功率_最大:3W,5.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:14-SOICN
- 包装:剪切带 (CT)
SI4340CDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 20V 14-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14.1A,20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.4 毫欧 @ 11.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 10V
- 功率_最大:3W,5.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:14-SOICN
- 包装:Digi-Reel®
SI4340DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.3A/9.9A SO14
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A,9.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.14W,1.43W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:14-SOICN
- 包装:剪切带 (CT)
SI4340DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.3A/9.9A SO14
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A,9.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.14W,1.43W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:14-SOICN
- 包装:Digi-Reel®
SI4340DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.3A/9.9A SO14
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A,9.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫欧 @ 9.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.14W,1.43W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:14-SOICN
- 包装:带卷 (TR)
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 2POS BOX MNT W/PINS
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 150PF 300V 5% 1111
- 固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR PWR SHIELDED .470UH SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 18POS WALL MNT W/SCKT
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 12POS BOX MNT W/PINS
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 23POS STRAIGHT W/PINS
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 178 OHM METAL FILM .40W 1%
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 150PF 300V 5% 1111
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 18POS WALL MNT W/SCKT
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 23POS STRAIGHT W/SCKT
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS BOX MNT W/PINS
- 固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR PWR SHIELDED 47.0UH SMD
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 178K OHM METAL FILM .40W 1%
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 180PF 300V 2% 1111