SI4330-B1-FM详细规格
- 类别:RF 接收器
- 描述:IC RCVR ISM 960MHZ 3.6V 20-QFN
- 系列:-
- 制造商:Silicon Laboratories Inc
- 频率:240MHz ~ 960MHz
- 灵敏度:-121dBm
- 数据传输率_最大:256 kbps
- 调制或协议:FSK,GFSK,OOK
- 应用:遥控,RKE,安全系统
- 电流_接收:18.5mA
- 数据接口:PCB,表面贴装
- 存储容量:-
- 天线连接器:PCB,表面贴装
- 特点:配有 RSSI
- 电源电压:1.8 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:20-QFN(4x4)
- 包装:管件
SI4330-B1-FMR详细规格
- 类别:RF 接收器
- 描述:IC RX ISM 240-960MHZ 20VQFN
- 系列:-
- 制造商:Silicon Laboratories Inc
- 频率:240MHz ~ 960MHz
- 灵敏度:-121dBm
- 数据传输率_最大:256 kbps
- 调制或协议:FSK,GFSK,OOK
- 应用:遥控,RKE,安全系统
- 电流_接收:18.5mA
- 数据接口:PCB,表面贴装
- 存储容量:-
- 天线连接器:PCB,表面贴装
- 特点:配有 RSSI
- 电源电压:1.8 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:20-QFN(4x4)
- 包装:带卷 (TR)
SI4330DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫欧 @ 8.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4330DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫欧 @ 8.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4330DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫欧 @ 8.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4330DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫欧 @ 8.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 200W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC CMOS PROG 2.5V OE SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1210(3225 公制) CAP CER 2200PF 250V 5% X7R 1210
- 陶瓷 Vishay Vitramon 0805(2012 公制) CAP CER 120PF 250V 10% NP0 0805
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC CMOS PROG 3.3V ST SMD
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1210(3225 公制) CAP CER 2200PF 1.5KV X7R 1210
- 陶瓷 Vishay Vitramon 0805(2012 公制) CAP CER 1500PF 25V 10% NP0 0805
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W