SI4324DY-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI4324DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:85nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3510pF @ 15V
- 功率_最大:7.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4324DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 毫欧 @ 20A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:85nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3510pF @ 15V
- 功率_最大:7.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 1.07K OHM 0.5% AXIAL
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR LO PROFILE 1.2UH 1.71A
- 固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 39UH 0.66A 1KHZ
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
- 接口 - 电信 Silicon Laboratories Inc - IC ENH FCC+ LINE-SIDE 16SOIC
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector PowerPAK? CHIPFET? 双 CONN MAGJACK 1PT 10BT Y/G SHLD
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS SKT 3"
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 2.74K OHM 1/8W 0.5% 1206
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR LO PROFILE 2.2UH 1.32A
- 固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 120UH 0.47A 1KHZ
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc DAUGHTERCARD W/SI3201 INTERFACE
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector PowerPAK? CHIPFET? 双 CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX SHLD
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS SKT 12" YEL
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR LO PROFILE 4.7UH 0.87A
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC