SI4320DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6500pF @ 15V
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4320DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6500pF @ 15V
- 功率_最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 15UH 1.12A 1KHZ
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS SKT 10"
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 IC RX OOK 315/434MHZ 20VQFN
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 1.21K OHM 1/8W 0.5% 1206
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 5.11K OHM .25% AXIAL
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector PowerPAK? CHIPFET? 双 CONN MAGJACK 1PORT 10/100B-TX
- 接口 - 调制解调器 - IC 和模块 Silicon Laboratories Inc 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC SYSTEM-SIDE DAA 20TSSOP
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR LO PROFILE 1UH 2A
- 固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 1.5UH 2.67A 1KHZ
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 10K OHM 0.5% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 226 OHM 1/8W 0.5% 1206
- 评估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) BOARD EVAL FOR DAA SI3056/SI3018
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector PowerPAK? CHIPFET? 双 CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX G/Y
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS SKT 8" YEL
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 24.9K OHM 1/8W 0.5% 1206