SI4154DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4230pF @ 20V
- 功率_最大:7.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4154DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4230pF @ 20V
- 功率_最大:7.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4154DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:36A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4230pF @ 20V
- 功率_最大:7.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4156DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:24A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 15.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 15V
- 功率_最大:6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4156DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:24A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 15.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 15V
- 功率_最大:6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4156DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:24A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫欧 @ 15.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 15V
- 功率_最大:6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 配件 TE Connectivity 2010(5025 公制) CLIP RETAINING METAL PCB
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 845K OHM 1/8W .1% SMD 0805
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1000PF 100V 5% RADIAL
- RF 评估和开发套件,板 Silicon Laboratories Inc 24-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) BOARD EVALUATION FOR SI4136
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 2.00K OHM METAL FILM .40W 1%
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块(6 引线) CONV DC/DC 2W 12VIN +/-09VOUT
- 传感器电缆 - 配件 Conxall/Switchcraft 径向 SHIELDED DC MICRO-MIZER
- 功率,高于 2 安 TE Connectivity 2010(5025 公制) RELAY GEN PURPOSE SPDT 16A 6V
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 12PF 100V 5% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 147 OHM 1/16W .25% SMD 0402
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
- 功率,高于 2 安 TE Connectivity 2010(5025 公制) RELAY GEN PURPOSE SPDT 16A 12V
- 传感器电缆 - 配件 Conxall/Switchcraft SHIELDED DC MICRO-MIZER
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 90.9 OHM 1/8W .1% SMD 0805