SI3900DV-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：830mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：Digi-Reel®
SI3900DV-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：830mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：剪切带 (CT)
SI3900DV-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：830mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：带卷 (TR)
SI3900DV-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：830mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：剪切带 (CT)
SI3900DV-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：830mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：Digi-Reel®
SI3900DV-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：830mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：带卷 (TR)
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW BIDIR 16V 10% SMC
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
- FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 FCI 模块 CONN FPC/FFC 10POS .5MM R/A SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16-DIP（0.300"，7.62mm），4 引线 SHUNT 7.5A .1V FOR SDV-FL
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW BIDIR 7.5V 5% SMC
- 支架 - 元件 Hammond Manufacturing SC-70，SOT-323 SHELF SLIDE 21X16.6X1.5" BE/GY
- 振荡器 EPSON 4-SOJ，5.08mm 间距 OSCILLATOR 12.2880MHZ SMD
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS UNIDIRECT 1.5KW 16V 10% SMC
- 光隔离器 - 晶体管，光电输出 Vishay Semiconductor Opto Division 4-DIP（0.300"，7.62mm） OPTOCOUPLER PHOTOTRANS 320% 4DIP
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW BIDIR 7.5V 10% SMC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16-DIP（0.300"，7.62mm），4 引线 SHUNT 7.5A .1V FOR SDV-FL
- 支架 - 元件 Hammond Manufacturing SHELF SLIDE 21X16.6X1.5" BE/GY
- 振荡器 EPSON 4-SOJ，5.08mm 间距 OSCILLATOR 14.4756MHZ SMD
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 170V 1500W UNIDIR SMC
- 光隔离器 - 晶体管，光电输出 Vishay Semiconductor Opto Division * OPTOCOUPLER PHOTOTRANS 125% 4SMD
0755-23612326 
0755-23140719 
0755-23051326 
010-62962871、 
0755-82780082 
0755-89697985 
17302677633 
13528893675/1 
0755-82732291 
0755-23600726 
0755-83291010 
0755-83777607 
0755-15913992 
0755-83987779 
18026926850/0 
