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SI3812DV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：剪切带 (CT)

SI3812DV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：Digi-Reel®

SI3812DV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

SI3812DV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

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