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SI3590DV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.7A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A，1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫欧 @ 3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：剪切带 (CT)

SI3590DV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.7A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A，1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫欧 @ 3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：Digi-Reel®

SI3590DV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.7A 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A，1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫欧 @ 3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

SI3590DV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A，1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：77 毫欧 @ 3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

SM6227FT953R
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引线 RES 953 OHM 3W 1% WW 6227
MNR14E0ABJ124
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 120K OHM 4 RES 1206
RTS-1212-R
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模块（5 引线） CONV DC/DC 2W 12VIN 12VOUT
SI3586DV-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
SR211C563KAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.056UF 100V 10% RADIAL
RW1S0BAR075JE
芯片电阻 - 表面安装 Ohmite 2512 J 形引线 RES POWER .075 OHM 1W 5% SMT
SST39LF402C-55-4C-B3KE-T
存储器 Microchip Technology 48-TFBGA IC FLASH MPF 4MB 55NS 48TFBGA
MNR14E0ABJ134
网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 130K OHM 4 RES 1206
SM6227FT97R6
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引线 RES 97.6 OHM 3W 1% WW 6227
RT1206FRE072K37L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 2.37K OHM 1/4W 1% SMD 1206
RW1S0BAR150JE
芯片电阻 - 表面安装 Ohmite 2512 J 形引线 RES POWER .150 OHM 1W 5% SMT
SR211C563KAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.056UF 100V 10% RADIAL
SI3812DV-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
RTS-1215/P-R
DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模块（5 引线） CONV DC/DC 2W 12VIN 15VOUT
SM6227FTR107
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引线 RES 0.107 OHM 3W 1% WW 6227

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