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SI3585DV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A，1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：Digi-Reel®

SI3585DV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A，1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

SI3585DV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A，1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：剪切带 (CT)

SI3585DV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A，1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：Digi-Reel®

SI3585DV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A，1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

SI3585DV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A，1.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：剪切带 (CT)

MS3102A20-14P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS BOX MNT W/PINS
MS27484T14A18S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 18POS STRAIGHT W/SCKT
SQCB7M4R7CA1ME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 4.7PF 500V 1111
SI3585DV-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP
SOMC160326K7FEA
网络、阵列 Vishay Dale 16-SOIC（0.220"，5.59mm 宽） RES ARRAY 26.7K OHM 8 RES 16SOIC
MS27484T14A18SLC
圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG PLUG 18POS STRGHT SCKT
MS3102A20-15PW
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS BOX MNT W/PINS
MS27656T11B35P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 13POS WALL MNT W/PINS
SQCB7M4R7CAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 4.7PF 500V 1111
SOMC160333R0JEA
网络、阵列 Vishay Dale 16-SOIC（0.220"，5.59mm 宽） RES ARRAY 33 OHM 8 RES 16-SOIC
MS3102A20-18P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 9POS BOX MNT W/PINS
MS27484T14A35PA
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 37POS STRAIGHT W/PINS
MS27497T14A15PA
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 15POS WALL MNT W/PINS
SQCB7M4R7CAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 4.7PF 500V 1111
SI3586DV-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET N/P-CH 20V 2.9/2.1A 6TSOP

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