SI3552DV-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI3552DV-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A,1.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.15W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
- 供应商设备封装:6-TSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI3552DV-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A,1.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.15W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
- 供应商设备封装:6-TSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI3552DV-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A,1.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.15W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
- 供应商设备封装:6-TSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI3552DV-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A,1.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.15W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
- 供应商设备封装:6-TSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI3552DV-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A,1.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.15W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
- 供应商设备封装:6-TSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI3552DV-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.5A,1.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.15W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
- 供应商设备封装:6-TSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 261K OHM 1/4W .1% SMD 1206
- PMIC - 热交换 Silicon Laboratories Inc 20-VQFN 裸露焊盘 IC POE SWITCH PWR OVER LAN 20QFN
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 1.27MEGOHM MTLFILM .40W 1% T
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 20V 1206-8
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 9.10K OHM 1/4W 1% SMD 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 309K OHM 1/8W .1% SMD 0805
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 48POS DUAL TIN
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 280 OHM 1/4W .1% SMD 1206
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 20V 1206-8
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 0805(2012 公制) RES 330 OHM TRIMMABLE 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 332 OHM 1/8W .1% SMD 0805
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 50POS DUAL TIN
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 28.7K OHM 1/4W .1% SMD 1206
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 130K OHM METAL FILM .40W 1%
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8