SI3469DV-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 6.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：Digi-Reel®
SI3469DV-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 6.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：带卷 (TR)
SI3469DV-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 6.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：剪切带 (CT)
SI3469DV-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 6.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：剪切带 (CT)
SI3469DV-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 6.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：Digi-Reel®
SI3469DV-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫欧 @ 6.7A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：带卷 (TR)
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS BIDIRECT 1.5KW 60V 10% SMC
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB TVS 600W 30V BIDIRECT SMBJ
- 固态硬盘驱动器 Swissbit NA Inc 径向，Can - QC 端子 FLASH SLC UDMA/MDMA/PIO 4GB
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 15V 1500W UNI 5% SMC
- 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 OSRAM Opto Semiconductors Inc 3-SMD，鸥翼型 PHOTO DIODE 900NM SMT LEAD FREE/
- DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模块 CONV DC/DC 1W 24VIN 24VOUT
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS SS NPN 160V HV SOT23
- TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AB，SMC DIODE TVS 64V 1500W UNI 5% SMD
- 固态硬盘驱动器 Swissbit NA Inc 径向，Can - QC 端子 FLASH X-200M SLC MSATA 4GB
- 光纤 - 发射器 - 离散式 Infineon Technologies HOUSING CONNECTOR DIODE PLASTIC
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1500W 15V UNI-DIR SMC
- DC DC Converters Recom Power 8-DIP SMD 模块 CONV DC/DC 1W 24VIN 24VOUT
- RF 晶体管 (BJT) Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR RF NPN SOT-23
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB TVS 600W 33V BIDIRECT SMBJ
0755-23612326 
010-62962871、 
15026993318 / 
15821228847 / 
0755-23613962 
0755-82574045 
19520735817/1 
075584505750 
15914072177 
0755-88291559 
18926544209/1 
0755-82533156 
021-51872165/ 
