SI3460DV-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 5.1A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
- 供应商设备封装:6-TSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI3460DV-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 5.1A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
- 供应商设备封装:6-TSOP
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
- TVS - 变阻器,MOV TE Connectivity 圆盘 20mm VARISTOR 33VDC 20MM STRGT LEAD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 21.5 OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 39UF 50V 20% RADIAL
- PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盘,10-MLF? IC REG LDO 1.8V/2.8V 10MLF
- LED - 垫片,支座 Bivar Inc LED MT SR VERT
- 固定式 API Delevan Inc 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELDED 680UH SMD
- TVS - 变阻器,MOV TE Connectivity 圆盘 20mm VARISTOR 330V 20MM RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 220 OHM 1/4W .5% SMD 1206
- PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盘,10-MLF? IC REG LDO 1.8V/2.9V 10MLF
- 电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 39UF 63V 20% RADIAL
- LED - 电路板指示器,阵列,发光条,条形图 Bivar Inc LED ASSY VERT
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 1800PF 3KV 10% RADIAL
- TVS - 变阻器,MOV TE Connectivity 圆盘 20mm VARISTOR 470VDC 20MM LEADED
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 226K OHM 1/4W .5% SMD 1206