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SI3460DV-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料

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SI3460DV-T1-E3详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.1A
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫欧 @ 5.1A，4.5V
Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装：6-TSOP
包装：带卷 (TR)

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