SI3443DV详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 10V
- 功率_最大:800mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 供应商设备封装:6-SSOT
- 包装:带卷 (TR)
SI3443DV详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 4.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1079pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
- 供应商设备封装:Micro6?(TSOP-6)
- 包装:管件
SI3443DV详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 10V
- 功率_最大:800mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 供应商设备封装:6-SSOT
- 包装:Digi-Reel®
SI3443DV详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:640pF @ 10V
- 功率_最大:800mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 供应商设备封装:6-SSOT
- 包装:剪切带 (CT)
SI3443DVTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 4.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1079pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
- 供应商设备封装:Micro6?(TSOP-6)
- 包装:剪切带 (CT)
SI3443DVTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 4.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1079pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
- 供应商设备封装:Micro6?(TSOP-6)
- 包装:Digi-Reel®
- 固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR PWR SHIELDED 68UH SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 332 OHM 1/8W .25% SMD 0805
- 扎带 Panduit Corp 1812(4532 公制) CABLE TIE LIGHT HEAVY NAT 15.3"
- 配件 3M 6-SIP CHIP SET FOR RESISTIVE CONTROLLR
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20SSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 619 OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 41.2K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR PWR SHIELDED 68UH SMD
- 扎带 Panduit Corp 1812(4532 公制) CABLE TIE LIGHT HEAVY BLK 15.3"
- 配件 3M 6-SIP CHIP SET FOR RESISTIVE CONTROLLR
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 20-TFSOP(0.173",4.40mm 宽) IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TVSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 62K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 43.2 OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 光纤 Infineon Technologies 20-SIP 模块 PLASTIC OPTICAL FIBER OSIPMIR-4