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SI3442BDV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫欧 @ 4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：295pF @ 10V; 功率_最大：860mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

SI3442BDV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫欧 @ 4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：295pF @ 10V; 功率_最大：860mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：剪切带 (CT)

SI3442BDV-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫欧 @ 4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：295pF @ 10V; 功率_最大：860mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：Digi-Reel®

SI3442BDV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫欧 @ 4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：295pF @ 10V; 功率_最大：860mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

SI3442CDV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫欧 @ 6.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：335pF @ 10V; 功率_最大：2.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：剪切带 (CT)

SI3442CDV-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫欧 @ 6.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：335pF @ 10V; 功率_最大：2.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）; 供应商设备封装：6-TSOP; 包装：带卷 (TR)

MS3101R24-2PZ
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 7POS INLINE W/PINS
SPX3819S-L/TR
PMIC - 稳压器 - 线性 Exar Corporation 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG LDO ADJ .5A 8SOIC
MS27656E25F46PA
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 46POS WALL MNT W/PINS
SOMC16012K00GEA
网络、阵列 Vishay Dale 16-SOIC（0.220"，5.59mm 宽） RES ARRAY 2K OHM 15 RES 16-SOIC
SI3440DV-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET N-CH D-S 150V 6-TSOP
MS27497T12A98S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 10POS WALL MNT W/SCKT
SPX3819S-L-5-0
PMIC - 稳压器 - 线性 Exar Corporation 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG LDO 5V .5A 8SOIC
MS3101R24-9P
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 2POS INLINE W/PINS
SQCB7M390JATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 39PF 500V 5% 1111
SOMC16012K20GEA
网络、阵列 Vishay Dale 16-SOIC（0.220"，5.59mm 宽） RES ARRAY 2.2K OHM 15 RES 16SOIC
MS3101R28-12S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 26 POS FREE HNG W/SCKT
SPX385AM-L-2-5/TR
PMIC - 电压基准 Exar Corporation TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT-23-3
SQCB7M390JATWE
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 39PF 500V 5% 1111
MS27656E25F4S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 56POS WALL MNT W/SCKT
MS27497T12A98SD
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 10POS WALL MNT W/SCKT

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