SI3430DV-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：剪切带 (CT)
SI3430DV-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：带卷 (TR)
SI3430DV-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：Digi-Reel®
SI3430DV-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 6-TSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：剪切带 (CT)
SI3430DV-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 6-TSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：带卷 (TR)
SI3430DV-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 6-TSOP
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.14W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：Digi-Reel®
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 348K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 28.0K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
- 固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR PWR SHIELDED 1000UH SMD
- 气体放电管 (GDT) Littelfuse Inc 1812（4532 公制） SURGE ARRESTER GDT 300V 1KA SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 TT Electronics/IRC 宽 2512（6432 公制），1225 RES 500 OHM 3W 1% 2512 WIDE
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） IC INVERTER HEX 1-INPUT 14SOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 590 OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 374K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 固定式 API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR PWR SHIELDED 15UH SMD
- 阵列，信号变压器 Signal Transformer 6-SIP INDUCTOR 150/602.87UH 0.44/0.22A
- 扎带 Panduit Corp 1812（4532 公制） CABLE TIE STANDARD NAT 12.4"
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC HEX INVERTER 14-TSSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 59.0 OHM 1/10W .5% SMD 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 390K OHM 1/4W .5% SMD 1206
0755-83200050 
0755-83200050 
0755-23915992 
010-62104931、 
18026926850/0 
0755-23612326 
13410941925 
0755-83226745 
13510131896 
0755-23919407 
15112667855 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
