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SI2351DS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 10V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2351DS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 10V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2351DS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 10V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2351DS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 10V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2351DS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 10V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2351DS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：115 毫欧 @ 2.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.1nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 10V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI8421BB-D-IS
数字隔离器 Silicon Laboratories Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC ISOLATOR 2CH 5.5V 8-SOIC
VI-BNB-EW-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 100W
VI-B0L-CY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 50W
VI-B1M-CX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W
SI2343DS-T1
FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V SOT23
VI-B51-MW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
VI-B3Y-IW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 66W
SI8422BD-B-IS
数字隔离器 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） ISOLATOR 2CH 5KV 150M 16SOIC
VI-BNB-EW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 100W
VI-B1M-CX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W
SL15100ZC
时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 Silicon Laboratories Inc 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC CLOCK SSCG 1PLL 2CH 8TSSOP
VI-B3Y-IY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W
VI-B51-MX-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 75W
VI-BNB-EX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 75W
VI-B0L-CY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 50W

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