SI2311DS-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI2311DS-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 3.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):800mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:970pF @ 4V
- 功率_最大:710mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:带卷 (TR)
SI2311DS-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫欧 @ 3.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):800mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:970pF @ 4V
- 功率_最大:710mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:带卷 (TR)
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/4W 120K OHM 5% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 57.6 OHM 1/8W 1% SMD 0805
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 130K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模块(6 引线) CONV DC/DC 2W 36-72VIN 05VOUT
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 1M OHM 1/8W 0.1% 1206
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS PIN 18" YEL
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER SHIELD 15UH SMD
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 130 OHM 1/4W 5% AXIAL
- DC DC Converters Recom Power 16-DIP SMD 模块(6 引线) CONV DC/DC 2W 36-72VIN 05VOUT
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 137K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D RCPT 37POS PIN 18" WIRE
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 210 OHM 1/8W 0.1% 1206
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 180K OHM 1/4W 5% AXIAL
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR POWER SHIELD 4.7UH SMD