SI2302ADS-T1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 3.6A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V
- 功率_最大：700mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：带卷 (TR)
SI2302ADS-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 3.6A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V
- 功率_最大：700mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：Digi-Reel®
SI2302ADS-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 3.6A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V
- 功率_最大：700mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：带卷 (TR)
SI2302ADS-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 3.6A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V
- 功率_最大：700mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：剪切带 (CT)
SI2302ADS-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.1A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 3.6A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 10V
- 功率_最大：700mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：带卷 (TR)
SI2302CDS-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V SOT-23
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.6A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：710mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：带卷 (TR)
- 嵌入式 - DSP（数字式信号处理器） Texas Instruments 338-LFBGA IC DGTL MEDIA SOC 338NFBGA
- 热敏电阻 - PTC Vishay Dale 1206（3216 公制） THERMISTOR PTC 3.9K OHM 5% 1206
- TVS - 其它复合 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IC OVP TRIPOLAR TELECOM D2PAK
- FET - 单 Micro Commercial Co TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 7-SIP 模块（4 引线） CONV DC/DC 2W 12VIN 12VOUT SIP
- TVS - 晶闸管 Bourns Inc. 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） SURGE SUPP 240V BIDIR 8-SOIC
- 钽 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP TANT 2.2UF 25V 20% 0805
- 嵌入式 - DSP（数字式信号处理器） Texas Instruments 548-BFBGA，FCCSPBGA IC FIXED-POINT DSP 548-FCBGA
- 热敏电阻 - PTC Vishay Dale 1206（3216 公制） THERMISTOR PTC 3.9K OHM 5% 1206
- TVS - 晶闸管 Bourns Inc. 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） SURGE SUPP 270V BIDIR 8-SOIC
- DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 4-SIP 模块 CONV DC/DC 2W 12VIN 9VOUT SIP
- PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 Power Integrations 16-SIP，12 引线，裸露焊盘，成形引线 IC PWR SUPPLY CTLR 280W ESIP-16
- 嵌入式 - DSP（数字式信号处理器） Texas Instruments 548-BBGA，FCBGA IC FIXED-POINT DSP 548-FCBGA
- 固态 Toshiba 8-DIP（0.300"，7.62mm） PHOTOCOUPLER PHOTORELAY 8-DIP
- 钽 AVX Corporation 1210（3225 公制） CAP TANT 100UF 10V 20% 1210
0755-83202997 
0755-83202411 
13410941925 
0755-83244680 
0755-82561519 
13480301972 
0755-83209630 
0755-88917652 
0755-83286481 
0755-82524712 
0755-82569753 
0755-82574045 
075584505750 
0755-82522939 
0755-23613962 
0755-23915992 
