

SI1563DH-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.13A,880mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 1.13A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:570mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:带卷 (TR)
SI1563DH-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.13A,880mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 1.13A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:570mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:Digi-Reel®
SI1563DH-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.13A,880mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 1.13A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:570mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:剪切带 (CT)
SI1563DH-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.13A,880mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 1.13A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:570mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:Digi-Reel®
SI1563DH-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.13A,880mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 1.13A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:570mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:剪切带 (CT)
SI1563DH-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.13A,880mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫欧 @ 1.13A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:570mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:带卷 (TR)
- 套管 - 音频 CUI Inc CONN JACK 3.5MM STEREO 4 POS SMT
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10UF 50V RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.012UF 50V 5% RADIAL
- 振荡器 EPSON 14-DIP,4 引线(全尺寸) OSCILLATOR 25.1750MHZ PDIP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 47.5 OHM 1/4W .25% SMD 1206
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
- 套管 - 音频 CUI Inc CONN AUDIO JACK 3.5MM STEREO SMD
- 振荡器 EPSON 14-DIP,4 引线(全尺寸) OSCILLATOR 4.9152MHZ PDIP
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.033UF 50V 20% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 47.0 OHM 1/4W .25% SMD 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1500PF 50V 5% RADIAL
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - QC 端子 CAP FILM 10UF 660VAC QC TERM
- 振荡器 EPSON 14-DIP,4 引线(全尺寸) OSCILLATOR 6.1448MHZ PDIP
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.082UF 500V 5% RADIAL
- 通孔电阻器 Caddock Electronics Inc 径向 RES 0.008 OHM 1% 1W 4-WIRE