

SI1426DH-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:剪切带 (CT)
SI1426DH-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:带卷 (TR)
SI1426DH-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:Digi-Reel®
SI1426DH-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:带卷 (TR)
SI1426DH-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:Digi-Reel®
SI1426DH-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-6
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SC-70-6
- 包装:剪切带 (CT)
- SCR - 单个 Littelfuse Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 SCR NON-SENS 1000V 10A TO-252
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 50V 10% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - QC 端子 CAP FILM 15UF 440VAC QC TERM
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL
- 振荡器 EPSON 14-DIP,4 引线(全尺寸) OSCILLATOR 2.0480MHZ PDIP
- 套管 - 音频 CUI Inc CONN JACK 3.5MM R/A STEREO SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 50V 10% RADIAL
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can CAP ALUM 1UF 350V 20% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - QC 端子 CAP FILM 15UF 440VAC QC TERM
- 振荡器 EPSON 14-DIP,4 引线(全尺寸) OSCILLATOR 20.4800MHZ PDIP
- 套管 - 音频 CUI Inc CONN JACK 3.5MM R/A STEREO SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 50V 10% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 500V 10% RADIAL