SI1039X的供应信息|PDF资料|求购SI1039X上51电子网

SI1039X-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 870MA SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：870mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫欧 @ 870mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：170mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：剪切带 (CT)

SI1039X-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 870MA SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：870mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫欧 @ 870mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：170mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：带卷 (TR)

SI1039X-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 870MA SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：870mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫欧 @ 870mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：170mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：Digi-Reel®

SI1039X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 870MA SC89; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：870mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫欧 @ 870mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：170mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：剪切带 (CT)

SI1039X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 870MA SC89; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：870mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫欧 @ 870mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：170mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：Digi-Reel®

SI1039X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 870MA SC89; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：870mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：165 毫欧 @ 870mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：170mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：带卷 (TR)

SJ1-3544N
套管 - 音频 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO R/A 4PIN 3.5MM
SI1039X-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET P-CH 12V 870MA SC89
SG-210SEB 26.0000MF3
振荡器 EPSON 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSCILLATOR 26.0000 MHZ 1.8V SMD
RT1206CRE0717K4L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 17.4K OHM 1/4W .25% SMD 1206
SLF7055T-220M1R7-3PF
固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR POWER 22UH 1.7A SMD
SF4382-3FPG-3ES
连接器，互连器件 Conxall/Switchcraft DO-201AD，轴向 CONN RCPT 3POS PNL MNT PIN
SEIFX-24
接线座 - 隔板块 Curtis Industries 244-MDIMM TERM BARRIER 24CIRC SGL ROW .250
SJ1-3555NG-BE
套管 - 音频 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO 5POS 3.5MM PCB
SG-211SCE 31.2500MT
振荡器 Epson Electronics America Inc-Semiconductor Div 1008（2520 公制） OSCILLATOR 31.2500 MHZ 3.3V SMD
SJ-5003 (WHITE)
缓冲器，支脚，焊盘，握把 3M BUMPON HEMISPHERE .44X.20 WHITE
SF6282-3PG-520
连接器，互连器件 Conxall/Switchcraft SOD-64，轴向 CONN PLUG 3POS CABLE PIN
SLF7055T-4R7N3R1-3PF
固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR POWER 4.7UH 3.1A SMD
SEIFX-5
接线座 - 隔板块 Curtis Industries 244-MDIMM TERM BARRIER 5CIRC SGL ROW .250
SJ1-3555NG-PI
套管 - 音频 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO 5POS 3.5MM PCB
SG2524DE4
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Texas Instruments 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR PWM VM 16-SOIC

SI1039X 全国供应商、价格、PDF资料