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SI1035X-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：180mA，145mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：400mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：剪切带 (CT)

SI1035X-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：180mA，145mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：400mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：带卷 (TR)

SI1035X-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：180mA，145mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：400mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：Digi-Reel®

SI1035X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V SC-89; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：180mA，145mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：400mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：Digi-Reel®

SI1035X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V SC-89; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：180mA，145mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：400mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：剪切带 (CT)

SI1035X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V SC-89; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：180mA，145mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：400mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：带卷 (TR)

SMK316B7152MF-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 1500PF 630V 20% X7R 1206
SR152A220JAATR2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL
SI1033X-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET P-CH 20V 145MA SOT563F
MS3106F28-2S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 14POS STRAIGHT W/SCKT
SR211A561KAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 560PF 100V 10% RADIAL
SIM3U136-B-GM
嵌入式 - 微控制器， Silicon Laboratories Inc 64-VFQFN 裸露焊盘 MCU 32BIT USB 32KB 64QFN
SR152A220JAATR2-
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL
SMK316B7222MF-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 2200PF 630V 20% X7R 1206
SR201A472KAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 4700PF 100V 10% RADIAL
SIN-002T-1.0
端子 - 导线至电路板 JST Sales America Inc 80-TQFP CONN TERM CRIMP 26-28AWG TIN
SR211A681JAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 680PF 100V 5% RADIAL
SR152A220JARAP2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL
SMK316B7223KL-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 0.022UF 630V X7R 1206
SR201A511GAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 510PF 100V 2% RADIAL
MS3106F28-51P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 12POS STRAIGHT W/PINS

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