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SI1029X-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH COMPL 60V SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA，190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：带卷 (TR)

SI1029X-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH COMPL 60V SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA，190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：剪切带 (CT)

SI1029X-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH COMPL 60V SOT563F; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA，190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 200mA，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 25V; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：Digi-Reel®

SI1029X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V SC89-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA，190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：Digi-Reel®

SI1029X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V SC89-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA，190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：剪切带 (CT)

SI1029X-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 60V SC89-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：305mA，190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.75nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SC-89-6; 包装：带卷 (TR)

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